Radeon R9 280X by Sapphire: când VAPOR-X întâlneşte TRI-X

3 of 10
Use your ← → (arrow) keys to browse


Pentru evaluarea performanţelor lui Sapphire Vapor-X R9 280X TRI-X OC WITH BOOST, am folosit o platformă alcătuită din următoarele componente:
–       Placă de bază ASUS Z87-Plus;
–       Procesor Intel Core i7-4770K @ 4.6GHz;
–       Memorie RAM DDR3 2x4GB GeIL Evo Two @2400MHz 10-11-11-30;
–       Cooler Noctua Noctua NH-U12S dotat cu 1 ventilator Scythe Slip Stream PWM Adjustable;
–       Harddisk Seagate ST3500418AS;
–       Sursă de alimentare Antec Signature de 850W.
Am început testele cu aplicaţiile PCMark 8 şi 3DMark, am continuat cu testul de transcoding video folosind CyberLink Media Espresso şi am continuat prin rularea a 11 jocuri, la rezoluţiile 1680×1050 şi 1920×1080, la cele mai înalte setări de calitate, iar acolo unde s-a putut am activat şi AA şi AF. La final, am măsurat temperaturile, consumul de energie şi turaţiile ventilatoarelor în 5 scenarii de utilizare ce ar trebui să vă completeze imaginea asupra produsului. Pe toată durata testelor, temperatura ambientală a fost menţinută la 24ºC.

Overclocking

Pentru a determina potenţialul de overclocking, am încercat iniţial să folosesc aplicaţia producătorului – TRIXX. Contrar aşteptărilor, aceasta nu permite însa majorarea voltajului peste valoarea de 1.2V la care este fixat implicit. De aceea, am renunţat la planul iniţial şi m-am rezumat la modulul AMD Overdrive din Catalyst Control Center, care oferă în situaţia de faţă aceeaşi funcţionalitate.
Sapphire Vapor-X R9 280X TRI-X OC WITH BOOST - AMD Overdrive
Aşa cum mă aşteptam, potenţialul de overclocking este unul redus, nucleul grafic neputând să funcţioneze stabil la frecvenţe de peste 1140MHz. În schimb, chip-urile de memorie au rulat fără niciun fel de probleme la 6800MHz.
Sapphire Vapor-X R9 280X TRI-X OC WITH BOOST - GPU-Z OC Idle Sapphire Vapor-X R9 280X TRI-X OC WITH BOOST - GPU-Z OC FurMark

3 of 10
Use your ← → (arrow) keys to browse

Leave a comment

Your email address will not be published. Required fields are marked *